Substrat und Herstellungsverfahren dafür sowie Dünnschicht-Strukturkörper

Abstract

Substrat (1), insbesondere für einen Halbleiter-Beschleunigungssensor, wobei das Substrat (1) folgendes aufweist: – einen Substrathauptkörper (31), der hauptsächlich aus Silizium besteht; – eine erste Oxidschicht (48), die auf dem Substrathauptkörper (31) durch thermische Oxidation des in dem Substrathauptkörper (31) enthaltenen Siliziums ausgebildet ist; und – eine zweite Oxidschicht (49), die auf der ersten Oxidschicht (48) durch Abscheiden einer TEOS-Oxidschicht ausgebildet ist, wobei die erste Oxidschicht (48) und die zweite Oxidschicht (49) zusammen eine Oxidschicht (33) bilden, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Schichtdicke der ersten Oxidschicht (48) zu der Schichtdicke der zweiten Oxidschicht (49) höchstens 1:1 und wenigstens 2:3 beträgt, so daß die bei einer thermischen Schrumpfung in den Oxidschichten (48, 49) entstehenden Spannungen zueinander entgegengesetzt sind und einander verringern; und daß die Schichtdicke der Oxidschicht (33) einen Wert von 20.000 Angström bis 25.000 Angström aufweist.

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