Substrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen und Herstellungsverfahren für dasselbe

Abstract

Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit berührungsempfindlichem Sensor in den Zellen, umfassend: – ein Substrat (101) mit mehreren berührungsempfindlichen Blöcken, von denen jeder mehrere Pixelbereiche umfasst; – eine Gateleitung (119) und eine Datenleitung (130) auf dem Substrat, wobei sich die Gateleitung (119) und die Datenleitung (130) kreuzen und eine Zwischenisolationsschicht (123) zwischen ihnen ausgebildet ist, um jeden der mehreren Pixelbereiche (P) zu definieren; – einen Dünnschichtransistor (Tr), der mit der Gateleitung (119) und der Datenleitung (130) verbunden ist; – eine erste Passivierungsschicht (145) auf dem Dünnschichttransistor, wobei die erste Passivierungsschicht ein erstes Drainkontaktloch (147) aufweist, das eine Drainelektrode (136) des Dünnschichttransistors freilegt; – eine Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential auf der ersten Passivierungsschicht (145) in jedem der mehreren berührungsempfindlichen Blöcke; – ein Ätzverhinderungsmuster (151), das das Drainkontaktloch (147) bedeckt und die durch das erste Drainkontaktloch (147) freigelegte Drainelektrode (136) kontaktiert, wobei das Ätzverhinderungsmuster ein selbes Material und eine selbe Schicht wie die Elektrode für ein gemeinsames Potential aufweist, und wobei das Ätzverhinderungsmuster (151) von der Elektrode für ein gemeinsames Potential räumlich getrennt ist; – eine x-Erfassungsleitung (xls) und eine y-Erfassungsleitung (yls) auf der Elektrode (150) für ein gemeinsames Potential, wobei die x-Erfassungsleitung die Gateleitung (119) überlappt und die y-Erfassungsleitung die Datenleitung (130) überlappt; – eine zweite Passivierungsschicht (155) auf der x-Erfassungsleitung und der y-Erfssungsleitung wobei die zweite Passivierungsschicht ein zweites Drainkontaktloch (157) aufweist, das das Ätzverhinderungsmuster freilegt; und – eine Pixelelektrode (160) auf der zweiten Passivierungsschicht (155) in jedem der mehreren Pixelbereiche, wobei die Pixelelektrode das Ätzverhinderungsmuster (151) durch das zweite Drainkontaktloch (157) kontaktiert und mehrere offene Bereiche (oa3) aufweist, die jeweils eine stabförmige Form aufweisen.

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