Lichtemissionselement aus einem Galliumnitrid-Verbindungshalbleiter sowie Verfahren zum Herstellen desselben

  • Inventors: HATA, TOSHIO
  • Assignees: Sharp K.K.
  • Publication Date: December 21, 2006
  • Publication Number: DE-19708989-B4

Abstract

Galliumnitrid-Verbindungshalbleiter-Lichtemissionselement, umfassend: – ein Substrat (1); – eine erste Halbleiter-Mehrschichtstruktur, die auf dem Substrat (1) ausgebildet ist und zumindest eine aktive Schicht (4), eine erste Mantelschicht (3) von einem ersten Leitungstyp, eine zweite Mantelschicht (5) von einem zweiten Leitungstyp, wobei die erste und die zweite Mantelschicht (3, 5) die aktive Schicht (4) einbetten, und eine GaN-Stromsperrschicht (7) aufweist, – eine InN-Schicht (6) vom zweiten Leitungstyp, die zwischen der zweiten Mantelschicht (5) und der Stromsperrschicht (7) ausgebildet ist; und – eine zweite Halbleiter-Mehrschichtstruktur (8, 9), die auf der InN-Schicht (6) ausgebildet ist, wobei die Dicke der InN-Schicht (6) im Bereich von 1 nm bis 5 nm liegt.

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Description

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    Patent Citations (6)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      EP-0579244-A2January 19, 1994Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.Laser à semi-conducteur et méthode de sa fabrication
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    NO-Patent Citations (2)

      Title
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    Cited By (0)

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